Source: STMICRoelectronics

STMicroelectronics a déclaré que les deux parties avaient signé un accord pour construire une nouvelle usine de fabrication conjointe de dispositifs en carbure de silicium de 8 pouces à Chongqing, en Chine, afin de mieux répondre aux besoins croissants de la Chine en matière d'électrification automobile, d'énergie industrielle et d'applications énergétiques.


Dans le même temps, sanan Optronics utilisera son propre procédé de substrat SiC pour construire et exploiter séparément une nouvelle usine de fabrication de substrats SiC de 8 pouces afin de répondre aux besoins en Substrats de la coentreprise. La coentreprise utilisera la technologie brevetée de processus de fabrication SiC de St, se concentrera sur la production de dispositifs SiC pour St et servira d'usine dédiée de génération de plaquettes pour St afin de répondre aux besoins de ses clients chinois.


STMicroelectronics prévoit que l'usine entrera en production au quatrième trimestre de 2025 et que les revenus du carbure de silicium devraient dépasser 5 milliards de dollars d'ici 2030.

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